孙月峰, 张维佳, 宋登元, 刘嘉, 张雷, 马强, 吴然嵩, 张冷
表面技术. 2013, 42(3): 5-8.
采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜( nc-Si : H) ,并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。 分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明:P 型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为 2 . 189 eV,电导率为 8 . 01 S / cm,霍尔迁移率为 0 . 521 cm2/ ( V·S) ,载流子浓度为 9 . 61 X1019/cm3;N 型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为 1 . 994 eV,电导率为 1 . 93 S / cm,霍尔迁移率为 1 . 694 cm2/ ( V·S) ,载流子浓度为 7 . 113 X1018/ cm3;两者的晶粒尺寸都在 3 ~ 5 nm 之间,晶态比都在 35% ~ 45% 之间,并且颗粒沉积紧密,大小比较均匀。 制备了大小为 20 mm X 20 mm,结构为 Al / AZO / p-nc-Si : H / i-nc-Si : H / n-nc-Si : H / p-nc-Si : H /i-nc-Si : H / n-c-Si / Al 背电极的纳米硅薄膜类叠层太阳电池,通过 I-V 曲线测试,其 VOC 达到 544 . 3 mV,ISC 达到 85 . 6mA,填充因子为 65 . 7% 。