石璐丹, 张力, 刘科高, 高稳成
表面技术. 2014, 43(4): 92-96.
目的 获得结晶好、连续均匀的 CuS 薄膜。 方法 采用电沉积方法制备 CuS 薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。 结果 柠檬酸钠的络合效果最好,EDTA 最差;硫代硫酸钠作为硫源时,其还原电位较硫脲为硫源时正,氧化电位较负,水平距离值较小,更容易实现共沉积;铜硫离子比例为 1 时,施镀最合适。 沉积电位为-0 . 8 V 时,薄膜的XRD 图谱中有氧化亚铜的衍射峰;当沉积电位在-0 . 9 V 时,生成了 Cu2S 相;沉积电位在-0 . 9 ~-1 . 2 V时,生成了目标产物 CuS,并且-1 . 2 V 时的衍射峰强度比较高,结晶良好。 结论 最佳沉积条件如下:柠檬酸钠为络合剂,硫代硫酸钠为硫源,铜硫离子比为 1 ,沉积电位为-1 . 2 V。