马金彪, 杨志亮, 任飞桐, 黄珂, 刘宇晨, 郭之健, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明
表面技术. 2025, 54(8): 201-209.
DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2025.08.018
目的 实现高密度高取向金刚石形核是获得异质外延大尺寸金刚石单晶膜的关键,而偏压增强形核法是高密度形核的主要技术。方法 采用COMSOL Multiphysics构建多物理场(等离子体场、电磁场和流体传热场)耦合模型,基于衬底负偏压,分别对4种衬底结构进行模拟,在径向和轴向上对比衬底结构对等离子体分布均匀性的影响,通过扫描显微镜表征异质外延偏压形核实况以验证模型。结果 模拟结果表明,双凸槽形结构的等离子体在径向和轴向的分布均匀性最差,径向上的等离子体密度从中心至边缘逐渐趋近于零,轴向上的等离子体密度从中心至边缘降低1/2,而单凹槽形结构衬底的等离子体在径向和轴向的分布均匀性最佳。实验结果表明,双凸槽结构的衬底等离子体密度趋近于零处未发生形核,双凸槽结构的均匀形核区为17%,而单凹槽结构的形核均匀区为80%,形核区与未形核区的比例与径向上等离子体分布接近一致。结论 在偏压形核过程中,样品表面有高密度等离子体分布有利于金刚石形核,样品表面的等离子体均匀分布有利于提升金刚石异质外延偏压形核均匀性。