周磊,潘应君,徐超,彭骏松,张改璐.PCVD 法制备 Fe-6 . 5 %Si 高硅钢片的工艺研究[J].表面技术,2013,42(3):88-90. ZHOU Lei,PAN Ying-jun,XU Chao,PENG Jun-song,ZHANG Gai-lu.Study on Fe-6 . 5 %Si Steel Slice Prepared by PCVD[J].Surface Technology,2013,42(3):88-90 |
PCVD 法制备 Fe-6 . 5 %Si 高硅钢片的工艺研究 |
Study on Fe-6 . 5 %Si Steel Slice Prepared by PCVD |
投稿时间:2012-12-15 修订日期:2013-01-15 |
DOI: |
中文关键词: PCVD 6 . 5% Si 硅钢片 渗硅 扩散处理 |
英文关键词:PCVD 6 . 5 % Si steel sheet siliconizing diffusion treatment |
基金项目: |
作者 | 单位 |
周磊 | 武汉科技大学, 武汉 430081 |
潘应君 | 武汉科技大学, 武汉 430081 |
徐超 | 武汉科技大学, 武汉 430081 |
彭骏松 | 武汉科技大学, 武汉 430081 |
张改璐 | 武汉科技大学, 武汉 430081 |
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Author | Institution |
ZHOU Lei | Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081 , China |
PAN Ying-jun | Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081 , China |
XU Chao | Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081 , China |
PENG Jun-song | Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081 , China |
ZHANG Gai-lu | Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081 , China |
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中文摘要: |
为制备 Fe-6 . 5% Si 高硅钢片,先利用 PCVD 技术在 0 . 2 mm 厚的纯铁片表面沉积硅,再进行高温扩散。 通过正交实验分析了沉积硅的工艺参数对表层硅含量的影响,并研究了扩散参数对截面硅含量分布的影响。 结果表明:以 10% SiH4+90% Ar 作为渗源气,在 500 ℃ 下沉积 20 min,所得样品的表层硅含量高达 40 . 5% ;然后在工业纯氢气的保护下,于 1050 ℃ 保温 60 min,可获得满足要求的 Fe-6 . 5% Si 高硅钢片。 |
英文摘要: |
Fe-6 . 5 % Si high silicon steel sheet was available after silicon was deposited on the surface of plain pure steel sheet with 0 . 2 mm heavy through PCVD, then treated at a high temperature. Analyzed the impact of deposition process parameters on the surface of the silicon content by orthogonal test, the relationship between diffusion parameters and the cross-sectional distribution of silicon content was studied. The results show that 40 . 5 % of the surface silicon is obtained by the 10 % SiH4and 90 % Ar as the seepage source, 500 ℃ deposition for 20 min. Meeting the requirements of Fe-6 . 5 % Si high silicon steel sheet is obtained in the protection of industrial pure H2at 1050 ℃ insulating for 60 min. |
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