樊丽梅,文九巴,赵胜利,祝要民.化学蚀刻单晶硅及其表面形貌研究[J].表面技术,2007,36(1):19-21.
FAN Li-mei,WEN Jiu-ba,ZHAO Sheng-li,ZHU Yao-min.Chemical Etching on Single-crystalline Silicon Slice and its Surface Morphology[J].Surface Technology,2007,36(1):19-21
化学蚀刻单晶硅及其表面形貌研究
Chemical Etching on Single-crystalline Silicon Slice and its Surface Morphology
投稿时间:2006-10-13  修订日期:2007-02-10
DOI:
中文关键词:  化学蚀刻  单晶硅片  表面形貌
英文关键词:Chemical etching  Single-crystalline silicon slice  Surface morphology
基金项目:河南省教育厅自然科学计划项目(2006430005)
作者单位
樊丽梅 河南科技大学 材料科学与工程学院, 河南 洛阳 471003 
文九巴 河南科技大学 材料科学与工程学院, 河南 洛阳 471003 
赵胜利 河南科技大学 材料科学与工程学院, 河南 洛阳 471003 
祝要民 河南科技大学 材料科学与工程学院, 河南 洛阳 471003 
AuthorInstitution
FAN Li-mei School of Materials Science and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China 
WEN Jiu-ba School of Materials Science and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China 
ZHAO Sheng-li School of Materials Science and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China 
ZHU Yao-min School of Materials Science and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China 
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中文摘要:
      采用酸碱两种不同的化学蚀刻液对单晶硅表面蚀刻,通过扫描电镜(SEM)对其形貌进行了表征,考察了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对表面形貌的影响。结果表明,在HNO3+HF溶液中,20℃时用2.81MHF+18.81M HNO3反应5min或2.67M HF+17.85M HNO3反应15min制得了硅片表面腐蚀坑大小适中,分布均匀的多孔状表面。在KOH水溶液中,50℃时用33%的KOH水溶液中反应10min获得了表面积大,分布均匀的绒状表面。
英文摘要:
      Acid-etching and alkali-etching methods are used to etch on single-crystalline silicon slice and the influence of temperature, time and solution concentration on the surface morphology is explored. The results show that at 20℃ the porosites etched by 2.81MHF+18.81M HNO3 for 2 minutes, and 2.67M HF+17.85M HNO3 for 15 minutes are well-proportioned. The textures obtained at 50℃ by 33% KOH with reaction for10 minutes have good surface morphology.
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